科技日報駐韓國記者 薛嚴
據(jù)韓國半導體業(yè)界近日透露，三星電子正在改進12納米級動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）“D1b”的設計。
三星電子于2023年首次量產“D1b”，應用于顯卡DRAM和手機DRAM上。此次改變已生產一年多的DRAM設計是半導體行業(yè)中罕見的案例。
專業(yè)人士表示，改變設計并不是一個容易的決定，制造工藝產生變化后，會提高成本，此舉意味著公司有改進工藝和產品的緊迫意識。
三星電子已經(jīng)在根據(jù)新的“D1b”設計修改生產工藝，于2024年底下達了緊急設備訂單，升級了現(xiàn)有生產線，并進行了技術轉移?？紤]到設備建設和試運行的進度，新款“D1b”將于年內量產，預計最快第二季度或第三季度發(fā)布。
除改變“D1b”設計外，三星電子還啟動了名為“D1b-p”的新開發(fā)項目，以增強DRAM競爭力?！癉1b-p”的特點是注重提高電源效率和發(fā)熱，使用了英文單詞“prime”中的首字母p，旨在強調產品“更為優(yōu)秀”。
三星電子正面臨著競爭對手的強勁挑戰(zhàn)。韓國SK海力士和美國美光都已將“D1b”產品商業(yè)化，并在更適應人工智能時代的高帶寬內存上進行應用。SK海力士2024年完成了下一代DRAM“D1c”的開發(fā)。與競爭對手相比，三星電子目前的“D1b”產品無論在性能還是良品率上都處于相對劣勢，不得不實施改變半導體設計等特殊措施，以填補缺口，增強競爭力。
